ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 8.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOP
- RS-varenummer:
- 223-6391
- Producentens varenummer:
- SH8JB5TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 103,22
(ekskl. moms)
Kr. 129,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.055 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,644 | Kr. 103,22 |
| 50 - 95 | Kr. 17,564 | Kr. 87,82 |
| 100 - 245 | Kr. 13,644 | Kr. 68,22 |
| 250 + | Kr. 13,36 | Kr. 66,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-6391
- Producentens varenummer:
- SH8JB5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.153Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bredde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.153Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Bredde 6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET har SOP8 hustype. Den bruges primært til skift.
Lav modstand ved tændt
Lille hus til overflademontering
Blyfri belægning, i overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Relaterede links
- ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt 8.5 A 40 V Forbedring SOP
- ROHM 1 Type N MOSFET 8 Ben SH8MB
- ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt 7.5 A 60 V Forbedring SOP
- ROHM 2 Type P MOSFET 8 Ben SH8MA2
- ROHM 2 Type P MOSFET 8 Ben SH8MA4
- ROHM Type N-Kanal 8.5 A 40 V Forbedring SOP
- ROHM 2 Type N MOSFET 8 Ben SP8M4 AEC-Q101
- ROHM 1 Type N MOSFET 8 Ben SP8M5 AEC-Q101