ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.5 A 40 V Forbedring, 7 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 223-6395P
- Producentens varenummer:
- UT6JB5TCR
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 80,80
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 141,10
(ekskl. moms)
Kr. 176,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 75 | Kr. 2,822 | - |
| 100 - 225 | Kr. 2,014 | Kr. 80,80 |
| 250 - 975 | Kr. 1,975 | Kr. 211,75 |
| 1000 + | Kr. 1,694 | Kr. 1.128,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-6395P
- Producentens varenummer:
- UT6JB5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.22Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Bredde | 2mm | |
| Længde | 2mm | |
| Højde | 650μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.22Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Bredde 2mm | ||
Længde 2mm | ||
Højde 650μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The ROHM power MOSFET has DFN2020-8D package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Halogen free