Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.25 A 30 V, 7 Ben, SC-70, N-Channel 30 V AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 225-9938
- Producentens varenummer:
- SQA470CEJW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 138,70
(ekskl. moms)
Kr. 173,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 2,774 | Kr. 138,70 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,053 | Kr. 102,65 |
| 1250 - 2450 | Kr. 1,942 | Kr. 97,10 |
| 2500 - 4950 | Kr. 1,388 | Kr. 69,40 |
| 5000 + | Kr. 1,248 | Kr. 62,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9938
- Producentens varenummer:
- SQA470CEJW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | N-Channel 30 V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.75V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 2.05mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie N-Channel 30 V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.75V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 2.05mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
TrenchFET effekt MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
Flanketerminaler, der kan fugtes
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 2.25 A 30 V SC-70, N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 9 A 100 V N SC-70, N-Channel 100 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 437 A 30 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 5.63 A 30 V Forbedring SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 9 A 30 V Forbedring SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 372 A 40 V PowerPAK (8x8LR), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 575 A 40 V PowerPAK (8x8LR), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 602 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101