Vishay N-Kanal, MOSFET, 150 A 100 V, 3 Ben, TO-263, N-Channel 100 V
- RS-varenummer:
- 225-9970P
- Producentens varenummer:
- SUM70042E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.292,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.615,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 410 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 25,85 |
| 125 - 245 | Kr. 24,414 |
| 250 - 495 | Kr. 23,008 |
| 500 + | Kr. 21,288 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9970P
- Producentens varenummer:
- SUM70042E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 84nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.875mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.826mm | |
| Bredde | 10.414mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 84nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.875mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.826mm | ||
Bredde 10.414mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
TrenchFET effekt MOSFET
Maks. 175 °C samledstemperatur
Meget lavt Qgd reducerer effekttab ved gennemkørsel af V (plateau)
100 % Rg og UIS-testet