Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 12.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, TSSOP, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2823P
- Producentens varenummer:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 728,60
(ekskl. moms)
Kr. 910,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.530 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 7,286 |
| 250 - 490 | Kr. 5,775 |
| 500 - 990 | Kr. 5,378 |
| 1000 + | Kr. 4,226 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2823P
- Producentens varenummer:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TSSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 112nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TSSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 112nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET P-kanal Power MOSFET er beregnet til belastningsafbryder, batterikontakt og strømstyring.
100 % Rg og UIS-testet