Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E
- RS-varenummer:
- 228-2849P
- Producentens varenummer:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 228-2849P
- Producentens varenummer:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 850 V maksimal drain-kildespænding, 8 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHD11N80AE-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strøm-switching-opgaver i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et udvidet omgivende område og er velegnet til kredsløb, der kræver høj drain-kilde-spændingskapacitet og beskeden kontinuerlig strømhåndtering. Enheden leveres i en TO-252-pakke og er i overensstemmelse med RoHS.
Egenskaber og fordele:
• 850 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 450 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 78 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• 28 nC total gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• 1,2 V fremadgående diodefald minimerer tab ved omvendt ledningsevne
• 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 450 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 78 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• 28 nC total gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• 1,2 V fremadgående diodefald minimerer tab ved omvendt ledningsevne
Anvendelser
• Anvendes til højspændingskonvertere og invertere
• Velegnet til industrielle strømforsyninger og hjælpeskinner
• Ideel til halvbro- og switch-mode-topologier
• Kan bruges til gate-trin til motordrev med beskeden strøm
• Anvendes sammen med diskrete strømstyringskort i forbrugerudstyr
• Velegnet til industrielle strømforsyninger og hjælpeskinner
• Ideel til halvbro- og switch-mode-topologier
• Kan bruges til gate-trin til motordrev med beskeden strøm
• Anvendes sammen med diskrete strømstyringskort i forbrugerudstyr
Hvilket gate-drive-spændingsområde skal jeg designe til?
Enheden tåler op til 30 V mellem gate og kilde
design gate-drivere inden for denne grænse, og vælg passende drevspændinger til skiftehastighed og sikre margener.
Hvordan påvirker temperaturen enhedens drift?
Beregnet til drift fra -55 °C til 150 °C dikterer den termiske ydeevne de tilladte driftscyklusser og kan kræve kølelegeme eller PCB termiske ledninger for at opretholde samletemperaturer under høj dissipation.
Hvilke hensyn til montering og layout er vigtige?
Som en TO-252-pakke til overflademontering sikrer du et tilstrækkeligt kobberareal til varmespredning og korte spor med lav induktans til afløb og kilde for at forbedre den termiske ydeevne og koblingsevnen.
Hvordan påvirker kanaltypen kredsløbsdesignet?
N-kanalforbedringstilstanden kræver en positiv gate-til-kilde-spænding til at føre, så gate-drive-polaritet og -niveau skal angives i overensstemmelse hermed i styringskredsløbet.