Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 32 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK, E
- RS-varenummer:
- 228-2873P
- Producentens varenummer:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 776,40
(ekskl. moms)
Kr. 970,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.594 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 38,82 |
| 50 - 98 | Kr. 36,50 |
| 100 - 198 | Kr. 34,595 |
| 200 + | Kr. 28,015 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2873P
- Producentens varenummer:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 32A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 650 V maksimal drain source-spænding, 32 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SiHH080N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og styringsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig strømhåndtering, effektiv omskiftning og kompakt PCB-montering. Enheden er fremstillet i overensstemmelse med RoHS-miljøstandarder og leveres i en PowerPAK-pakke til lavprofilsmontering.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-kapacitet muliggør højspændingsanvendelser
• 32 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 70 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 42 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 184 W effekttab styrer varmeenergi under drift
• Vgs-grænse på 30 V muliggør standard gate-drive-spændinger
• 32 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 70 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 42 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 184 W effekttab styrer varmeenergi under drift
• Vgs-grænse på 30 V muliggør standard gate-drive-spændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motoromformertrin
• Anvendes sammen med PFC-kredsløb, der kræver robuste kontakter
• Kan bruges til strømomformersektioner til vedvarende energi
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering
• Ideel til industrielle motoromformertrin
• Anvendes sammen med PFC-kredsløb, der kræver robuste kontakter
• Kan bruges til strømomformersektioner til vedvarende energi
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering
Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden tolerere under drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og kan rumme barske termiske miljøer og høje forbindelsestemperaturer.
Hvordan hjælper pakken med printkortmontering og termisk adfærd?
PowerPAK-pakken til overflademontering giver et lavprofilsaftryk til automatiseret placering og giver en termisk vej, der er velegnet til kobbervarmeafledning på printkortet.
Hvilke hensyn til gate-drev kræves der for pålidelig omskiftning?
Drivkredsløb skal overholde ±30 V gate-source-klassificering og være dimensioneret til at levere den typiske 42 nC gate-ladning for den ønskede skiftehastighed og EMI-styring.
Er denne enhed velegnet til bilsystemer?
Det er ikke defineret som en enhed i bilstandarden, så designere bør kontrollere kvalifikationskravene, før de bruger det i certificerede bilprogrammer.