Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 34 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AD, E AEC-Q101

RS-varenummer:: 228-2974
Producentens varenummer:: SQW33N65EF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 34 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AD, E AEC-Q101

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.078,32

(ekskl. moms)

Kr. 1.347,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
30 +	Kr. 35,944	Kr. 1.078,32

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 228-2974
Producentens varenummer:: SQW33N65EF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	34A
	Drain source spænding maks. Vds	700V
	Emballagetype	TO-247AD
	Serie	E
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	109mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	115nC
	Effektafsættelse maks. Pd	375W
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A
	Drain source spænding maks. Vds 700V
	Emballagetype TO-247AD
	Serie E
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 109mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 115nC
	Effektafsættelse maks. Pd 375W
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SQW33N65EF-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 700 V drain-kildespænding, 34 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SQW33N65EF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings-N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle og biler. Den leveres i en TO-247AD-pakke med gennemgående hul til robust montering og termisk håndtering, og den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele:

• 700 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 34 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 109 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i effekttrin • 115 nC typisk gate-ladning for forudsigelig skifteadfærd • 30 V porttolerance muliggør kompatibilitet med almindelige portdrivere • 375 W effekttab hjælper med termisk margen under høj belastning

Anvendelser

• Velegnet til motordrevstrin, der kræver højspænding • Ideel til DC-DC-konvertere i industrielle strømforsyninger • Anvendes til strømmoduler til biler, der opfylder AEC-Q101-kravene • Kan bruges til højspændingsinverter og UPS-kredsløb

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den tolerere under drift?

Den kan fungere fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.

Hvordan påvirker valg af pakke køling og montering?

TO-247AD-formatet med gennemgående hul giver en stor metalflig til varmeafledning og sikker kortmontering til højeffektsenheder.

Hvilken ydeevne skal forventes under omskiftning?

Den typiske gate-ladning er 115 nC ved det specificerede gate-drev, hvilket informerer gate-driverens størrelse og beregninger af koblingstab.

Er denne enhed velegnet til brug i sikkerhedsbevidst bilelektronik?

Den er i overensstemmelse med AEC-Q101 bilstandarder og er beregnet til anvendelser i bilkvalitet, hvor en sådan kvalificering er påkrævet.