STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 228-3031P
- Producentens varenummer:
- STL105N8F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 500 flere for at gemme Kr. 51,50
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 846,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.058,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.980 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 8,469 | - |
| 500 - 990 | Kr. 8,366 | Kr. 51,50 |
| 1000 - 2990 | Kr. 8,265 | Kr. 204,00 |
| 3000 + | Kr. 8,167 | Kr. 906,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-3031P
- Producentens varenummer:
- STL105N8F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 95A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 127W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 95A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 127W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET anvender STripFET F7-teknologi med forbedret renchegate-struktur, der resulterer i meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-opladning reduceres for hurtigere og mere effektiv switching.
Blandt de laveste RDS(on) på markedet
Fremragende FOM (figur af fortjeneste)
Lavt CRS/CISS-forhold for EMI-immunitet
Høj lavine-robusthed