Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 A 80 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, IAUT AEC-Q101

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til krævende automotive og industrielle strømswitching-roller. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og leveres i et overflademonteret HSOF-hus, der er velegnet til kortlayouter med høj strømstyrke. Enheden er specificeret til at modstå typiske udgange i biler og leverer den spænding og strømkapacitet, der er nødvendig til robuste strømkonverterings- og motordrevapplikationer.

• Lav modstand ved tænding på 1,2 mΩ reducerer ledningstab og varme
• 80 V mærkeværdi for afløb muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 300 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje strømbelastninger
• 375 W maks. tab muliggør vedvarende effekthåndtering
• ±20 V gate-tolerance passer til gate-driv-signaler i biler
• AEC-Q101-kvalifikation opfylder krav til belastningsafskærmning i biler

• Velegnet til trækkraftomformertrin i elektrificerede køretøjer
• Ideel til DC-DC-konverterudgange med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med motordrev-invertere og trækkontrollere
• Kan bruges til strømfordeling i bilsystemer
• Velegnet til industrielle strømmoduler, der kræver overflademontering

Den er mærket til drift fra -55 °C op til +175 °C.

Enheden leveres i en HSOF-pakke og er beregnet til overflademontering.

Den accepterer gate-source-spændinger op til ±20 V, hvilket giver mulighed for typiske bildrevmargener.

Det er en N-kanal-enhed med forbedringstilstand, der er designet til omskiftningsanvendelser.