Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101

RS-varenummer:: 229-1829
Producentens varenummer:: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 10.950,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.700,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 16. april 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 2,19	Kr. 10.950,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 229-1829
Producentens varenummer:: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	50A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SuperSO
	Serie	IPC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	5.8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	42W
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	5.25mm
	Bredde	5.58mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SuperSO
	Serie IPC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 5.8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 42W
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 5.25mm
	Bredde 5.58mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon IPC seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPC50N04S55R8ATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret effekttransistor, der er designet til koblings- og styringsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde, der er velegnet til barske miljøer, og giver en N-kanalforbedringsenhed med lav modstand ved tænding for effektiv strømforsyning i kompakte enheder.

Egenskaber og fordele:

• Lav Rds(on) på 5,8 mΩ reducerer ledningstab og forbedrer effektiviteten
• 40 V Vds muliggør skiftefunktion med moderat spænding
• 50 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med høj strømstyrke
• 42 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 13 nC typisk gate-ladning giver hurtigere omskiftning med lavere drevenergi
• 20 V maksimal gate-tolerance giver mulighed for robuste gate-drevmargener

Anvendelser

• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler
• Ideel til DC-DC-konverterudgangstrin
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Kan bruges til omskiftning af højstrømsbelastninger i styreenheder
• Anvendes til termisk belastningselektronik, der fungerer ved høje temperaturer

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?

Den fungerer fra -55 °C op til 175 °C for at passe til brede termiske miljøer.

Hvilket emballage- og monteringsformat anvender den?

Den leveres i en kompakt SuperSO-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Hvor mange ben er tilgængelige til printkortintegration?

Enheden bruger en 8-benet konfiguration til tilslutning og termiske ruter.

Hvilken kanalledningstype bruger den, og hvordan fungerer den?

Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning tilstand, der kræver et positivt gate-drev.

Er denne enhed velegnet til krav til bilkvalitet?

Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-standardisering for biler for udvælgelse af komponenter.