onsemi N-Kanal, MOSFET, 12 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, SUPERFET III
- RS-varenummer:
- 229-6321
- Producentens varenummer:
- FCPF250N65S3R0L-F154
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 121,03
(ekskl. moms)
Kr. 151,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 855 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,206 | Kr. 121,03 |
| 50 - 95 | Kr. 20,854 | Kr. 104,27 |
| 100 + | Kr. 18,072 | Kr. 90,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6321
- Producentens varenummer:
- FCPF250N65S3R0L-F154
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Længde | 16.2mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 10.4mm | ||
Længde 16.2mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SUPER FET-serien er en helt ny højspændings super-junction MOSFET, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-opladning. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstrem dv/dt-hastighed.
Lav effektiv udgangskapacitet
100 % avalanche-testet
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS