onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 500 V N, 3 Ben, SOT-223, UniFET II
- RS-varenummer:
- 229-6326
- Producentens varenummer:
- FDT4N50NZU
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 12.640,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.800,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 3,16 | Kr. 12.640,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6326
- Producentens varenummer:
- FDT4N50NZU
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | UniFET II | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.7mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie UniFET II | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.7mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor UniFET II højspændings MOSFET baseret på Advanced planar-stribe og DMOS-teknologi. Denne Advanced MOSFET har den mindste modstand i tilstanden blandt den planare MOSFET og giver også overlegen skifteevne og højere lavineenergi. Den er velegnet til omskiftning af effektkonverter som f.eks. effektfaktorkorrektion, fladskærm, tv-strøm, ATX og elektroniske lampeforkoblinger.
Meget lav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Blyfri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 2 A 500 V N SOT-223, UniFET II
- onsemi Type N-Kanal 680 mA 25 V Forbedring SOT-23, UniFET
- onsemi N-Kanal 11 3 ben UniFET FDPF12N50FT
- onsemi N-Kanal 4 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF5N50UT
- onsemi N-Kanal 28 A 500 V TO-3PN, UniFET FDA28N50F
- onsemi N-Kanal 8 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF10N50UT
- onsemi N-Kanal 24 A 500 V TO-3PN, UniFET FDA24N50
- onsemi Type N-Kanal 22 A 500 V Forbedring TO-220, UniFET
