onsemi N-Kanal, MOSFET, 62 A 650 V N, 7 Ben, TO-263, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6444P
- Producentens varenummer:
- NTBG045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 995,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 749,50
(ekskl. moms)
Kr. 936,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 728 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 74,95 | - |
| 100 - 499 | Kr. 65,00 | Kr. 995,00 |
| 500 + | Kr. 57,15 | Kr. 8.900,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6444P
- Producentens varenummer:
- NTBG045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiC Power | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 242W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.4mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiC Power | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 242W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.4mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.
Højeste effektivitet
Hurtigere driftsfrekvens
Forøget effekttæthed
Reduceret EMI
Reduceret systemstørrelse