onsemi N-Kanal, MOSFET, 203 A 100 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6446P
- Producentens varenummer:
- NTBGS004N10G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 853,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.066,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 198 | Kr. 42,675 |
| 200 + | Kr. 37,065 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6446P
- Producentens varenummer:
- NTBGS004N10G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 203A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SiC Power | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 203A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SiC Power | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 9.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power MOSFET har en robust teknologi, der giver den største pålidelighed. Den er specielt designet til brede SOA-anvendelser fra en 48 V bus.
Hot swap-tolerant med overlegen SOA-kurve
I overensstemmelse med RoHS
Reducerer ledespild