onsemi N-Kanal, MOSFET, 8 A 800 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- RS-varenummer:
- 229-6456P
- Producentens varenummer:
- NTD600N80S3Z
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 963,40
(ekskl. moms)
Kr. 1.204,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.235 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 19,268 |
| 100 - 495 | Kr. 16,696 |
| 500 - 995 | Kr. 14,69 |
| 1000 + | Kr. 13,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6456P
- Producentens varenummer:
- NTD600N80S3Z
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SUPERFET III-serien MOSFET gør det muligt at opnå mere effektive, kompakte, køligere og mere robuste anvendelser på grund af dens bemærkelsesværdige ydeevne inden for switching-effekt, som f.eks. bærbar adapter, lyd, belysning, ATX-strøm og industrielle strømforsyninger.
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
ESD forbedret kapacitet med zenerdiode
Optimeret kapacitet