onsemi N-Kanal, MOSFET, 142 A 650 V N, 4 Ben, TO-247, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6458P
- Producentens varenummer:
- NTH4L015N065SC1
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.414,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.768,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 141,45 | - |
| 100 + | Kr. 122,60 | 13% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6458P
- Producentens varenummer:
- NTH4L015N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 142A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SiC Power | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 283nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 22.74mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 142A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SiC Power | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 283nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 22.74mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.
Højeste effektivitet
Hurtigere driftsfrekvens
Forøget effekttæthed
Reduceret EMI
Reduceret systemstørrelse