onsemi N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V N, 4 Ben, TO-247, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6460P
- Producentens varenummer:
- NTH4L045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 229-6460P
- Producentens varenummer:
- NTH4L045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | SiC Power | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 22.74mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie SiC Power | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.4V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.2mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 22.74mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.
Højeste effektivitet
Hurtigere driftsfrekvens
Forøget effekttæthed
Reduceret EMI
Reduceret systemstørrelse