onsemi N-Kanal, MOSFET, 165 A 150 V N, 8 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 229-6505P
- Producentens varenummer:
- NVMTS4D3N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 421,10
(ekskl. moms)
Kr. 526,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.839 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 42,11 |
| 100 - 499 | Kr. 36,43 |
| 500 - 999 | Kr. 32,01 |
| 1000 + | Kr. 29,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6505P
- Producentens varenummer:
- NVMTS4D3N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 165A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.45mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 292W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 9.42mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 165A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.45mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 292W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 9.42mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor industriel MOSFET med effekt i et 8x8 mm fladt blyhus, der er designet til kompakte og effektive design og med høj termisk ydelse. Kan fugtes i flanke for forbedret optisk inspektion. Den bruges til beskyttelse af reverserbatteri, til at skifte strømforsyninger og strømkontakter.
Kompakt konstruktion
Minimer ledningstab
Minimer tab af fører
Forbedret optisk inspektion