onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 75.4 A 150 V Forbedring, 4 Ben, TO-263, NTB01

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 57,90

(ekskl. moms)

Kr. 72,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7.164 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 28,95Kr. 57,90
20 - 198Kr. 24,945Kr. 49,89
200 +Kr. 21,615Kr. 43,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
230-9079
Producentens varenummer:
NTB011N15MC
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75.4A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-263

Serie

NTB01

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

10.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

136.4W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.67mm

Bredde

4.83 mm

Højde

15.88mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor MOSFET-N-kanal skærmet gate Power Trench MOSFET, som har en drain til kildespænding på 150 V.

Optimeret skifteevne

Maks. RDS(on) = 10.9 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 75.4 A.

Branchens laveste Qrr og blødeste Body-diode for fremragende skift af lav støj

50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører

Høj effektivitet med lavere koblingsspids og EMI

Sænker switching-støj/EMI

Forbedret FOM-omskiftning, især Qgd

100 % UIL-testet

Intet behov eller mindre snubber

Relaterede links