onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 75.4 A 150 V Forbedring, 4 Ben, TO-263, NTB01
- RS-varenummer:
- 230-9079
- Producentens varenummer:
- NTB011N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 57,90
(ekskl. moms)
Kr. 72,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 7.164 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,95 | Kr. 57,90 |
| 20 - 198 | Kr. 24,945 | Kr. 49,89 |
| 200 + | Kr. 21,615 | Kr. 43,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-9079
- Producentens varenummer:
- NTB011N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | NTB01 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie NTB01 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET-N-kanal skærmet gate Power Trench MOSFET, som har en drain til kildespænding på 150 V.
Optimeret skifteevne
Maks. RDS(on) = 10.9 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 75.4 A.
Branchens laveste Qrr og blødeste Body-diode for fremragende skift af lav støj
50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører
Høj effektivitet med lavere koblingsspids og EMI
Sænker switching-støj/EMI
Forbedret FOM-omskiftning, især Qgd
100 % UIL-testet
Intet behov eller mindre snubber
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 75.4 A 150 V Forbedring TO-263, NTB01
- onsemi Type N-Kanal 185 A 150 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 139 A 150 V Forbedring TO-263, NTB5D0N
- onsemi Type N-Kanal 29 A 150 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 79 A 150 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 37 A 150 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 130 A 150 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 92 A 150 V Forbedring TO-263, PowerTrench