onsemi N-Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Forbedring, 4 Ben, TO-263, NTB7D
- RS-varenummer:
- 230-9081P
- Producentens varenummer:
- NTB7D3N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 449,50
(ekskl. moms)
Kr. 561,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 198 | Kr. 22,475 |
| 200 + | Kr. 19,485 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-9081P
- Producentens varenummer:
- NTB7D3N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 101A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTB7D | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 166W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 101A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTB7D | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 166W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET-N-kanal skærmet gate Power Trench MOSFET, som har en drain til kildespænding på 150 V.
Optimeret skifteevne
Maks. RDS(on) = 7.3 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 62A
Branchens laveste Qrr og blødeste Body-diode for fremragende skift af lav støj
50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører
Høj effektivitet med lavere koblingsspids og EMI
Sænker switching-støj/EMI
Forbedret FOM-omskiftning, især Qgd
100 % UIL-testet
Intet behov eller mindre snubber