Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC Nej IMW65R039M1HXKSA1

Indhold (1 enhed)*

Kr. 36,60

(ekskl. moms)

Kr. 45,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 37 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 36,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
232-0388
Producentens varenummer:
IMW65R039M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

46A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

50mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon har SiC MOSFET, der leverer pålidelig og omkostningseffektiv ydelse i TO247 3-benet hus. CoolSiC MOSFET-teknologien udnytter siliciumcarbidens stærke fysiske egenskaber og tilføjer unikke funktioner, der øger enhedens ydeevne, robusthed og brugervenlighed. MOSFET 650V er bygget på en avanceret rench-halvleder, der er optimeret til ikke at gå på kompromis med at opnå både de laveste tab i anvendelsen og den højeste driftsikkerhed.

Lav arbejdsdygtighed

Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker

Overlegen gate-oxid pålidelighed

Fremragende termisk ydelse

Øget lavine-kapacitet

Fungerer med standarddrivere

Relaterede links