Infineon N-Kanal, MOSFET, 59 A 650 V, 4 ben, TO-247-4, CoolSiC IMZA65R027M1HXKSA1

Infineon har SiC MOSFET, der leverer pålidelig og omkostningseffektiv ydelse i TO247 4-benet hus. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barske opgaver og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet. MOSFET i TO247 4-benet hus reducerer parasitisk kildeselvinduktion på gate-kredsløbet, hvilket muliggør hurtigere skift og øget effektivitet.

Lav arbejdsdygtighed
Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Overlegen gate-oxid pålidelighed
Fremragende termisk ydelse
Øget lavine-kapacitet
Fungerer med standarddriver