Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 80 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 232-6769P
- Producentens varenummer:
- ISZ0602NLSATMA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 125 flere for at gemme Kr. 104,75
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 622,30
(ekskl. moms)
Kr. 777,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.695 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 12,446 | - |
| 125 - 245 | Kr. 11,608 | Kr. 104,75 |
| 250 - 495 | Kr. 10,772 | Kr. 418,50 |
| 500 + | Kr. 9,964 | Kr. 1.241,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 232-6769P
- Producentens varenummer:
- ISZ0602NLSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.9mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.9mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons OptiMOS PD effekt MOSFET 80 V er designet til USB-PD og adapteranvendelser. Det er PQFN 3,3x3.3-hus, der giver hurtig øgning og optimerede gennemløbstider. OptiMOS lavspændings MOSFET'er til levering af strøm muliggør design med færre dele, der fører til reduktion af BOM-omkostninger. OptiMOS PD indeholder kvalitetsprodukter i kompakte, lette pakker.
Tilgængelighed på logikniveau
Fremragende termisk ydelse
100 % avalanche-testet