STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 91 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- RS-varenummer:
- 233-0475P
- Producentens varenummer:
- SCTWA70N120G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 2.688,30
(ekskl. moms)
Kr. 3.360,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 352 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 268,83 | - |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-0475P
- Producentens varenummer:
- SCTWA70N120G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 91A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 547W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 34.8mm | |
| Højde | 5mm | |
| Bredde | 15.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 91A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 547W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 34.8mm | ||
Højde 5mm | ||
Bredde 15.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Meget høj samledstemperatur (TJ = 200 C)
Kildesensorstift for øget effektivitet