STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60
- RS-varenummer:
- 233-3041P
- Producentens varenummer:
- STH12N120K5-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 449,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 597,70
(ekskl. moms)
Kr. 747,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.879 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 59,77 | - |
| 100 - 999 | Kr. 55,28 | Kr. 449,00 |
| 1000 + | Kr. 54,60 | Kr. 5.170,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3041P
- Producentens varenummer:
- STH12N120K5-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | STB37N60 | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 690mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Bredde | 15.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie STB37N60 | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 690mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.2nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Bredde 15.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET'er med meget høj spænding er designet med MDmesh TM K5-teknologi, der er baseret på en innovativ, egenudviklet lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af on-Resistance og ultra-lav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste FOM (figur af fortjeneste)
Ultralav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet