ROHM N-Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC5
- RS-varenummer:
- 235-2668P
- Producentens varenummer:
- QH8KC5TCR
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 109,50
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 264,05
(ekskl. moms)
Kr. 330,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 25 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 75 | Kr. 5,281 | - |
| 100 - 225 | Kr. 4,186 | Kr. 109,50 |
| 250 - 975 | Kr. 4,063 | Kr. 304,50 |
| 1000 + | Kr. 3,166 | Kr. 2.115,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-2668P
- Producentens varenummer:
- QH8KC5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KC5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 850μm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TSMT-8 | ||
Serie QH8KC5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 850μm | ||
Længde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM dobbelt N kanal MOSFET, som understøtter 60 V modstår spænding. Dette er designet til 24 V indgangsudstyr som f.eks. udstyr til fabriksautomation og motorer, der er monteret på basestationer. Dette produkt består af en N-kanal MOSFET med lav modstand, som er reduceret med 58 %. Dette bidrager til et lavt strømforbrug for forskellige enheder.
Lille hus til overflademontering
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri