ROHM Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MC5
- RS-varenummer:
- 235-2674P
- Producentens varenummer:
- QH8MC5TCR
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 20%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 267,40
(ekskl. moms)
Kr. 334,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 5,348 | - |
| 100 - 240 | Kr. 4,226 | 20% |
| 250 - 990 | Kr. 3,291 | 38% |
| 1000 + | Kr. 3,216 | 39% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-2674P
- Producentens varenummer:
- QH8MC5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TSMT-8 | |
| Serie | QH8MC5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 91mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.9mm | |
| Bredde | 850μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TSMT-8 | ||
Serie QH8MC5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 91mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.9mm | ||
Bredde 850μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The ROHM dual N channel and P channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. By combining the optimum N channel + P channel, reduces the design efforts. It also contributes to lower power consumption of equipment.
Low on-resistance
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen Free