ROHM N-Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
235-2682
Producentens varenummer:
R6504KND3TL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.05Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

58W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.4mm

Højde

10.4mm

Længde

6.4mm

Bilindustristandarder

Nej

ROHM R6xxxKNx-serien er højhastigheds switching-produkter, Super Junction MOSFET, der lægger vægt på høj effektivitet. Den opnår højere effektivitet ved at skifte med høj hastighed. Hurtigt skift gør det muligt at bidrage til højere effektivitet i PFC- og LLC-kredsløb.

Lav modstand ved tændt

Ultrahurtig koblingshastighed

Parallel brug er let

Blyfri belægning

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.