ROHM N-Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
235-2686P
Producentens varenummer:
R6507END3TL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

665mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

10.4mm

Længde

6.4mm

Bredde

2.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.