Toshiba Type P-Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 236-3569P
- Producentens varenummer:
- SSM3J338R,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.962,90
(ekskl. moms)
Kr. 2.453,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 12.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 200 | Kr. 19,629 |
| 250 - 450 | Kr. 19,209 |
| 500 - 950 | Kr. 18,79 |
| 1000 + | Kr. 17,644 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3569P
- Producentens varenummer:
- SSM3J338R,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26.3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.75V | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 2.4mm | |
| Bredde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26.3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.75V | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 2.4mm | ||
Bredde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba-transistoren med felteffekt, der består af silikonemateriale og har P-kanal MOS-type. Den bruges primært til switching-applikationer til strømstyring.
Temperaturområde ved opbevaring - 55 til 150 C.