Toshiba N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 Ben, US6
- RS-varenummer:
- 236-3582P
- Producentens varenummer:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (400 enheder, leveres på en rulle)*
Kr. 233,20
(ekskl. moms)
Kr. 291,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.600 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 400 - 600 | Kr. 0,583 |
| 800 - 1000 | Kr. 0,573 |
| 1200 - 2800 | Kr. 0,536 |
| 3000 + | Kr. 0,488 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3582P
- Producentens varenummer:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | US6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.79V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2mm | |
| Længde | 2.1mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype US6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.79V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2mm | ||
Længde 2.1mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba-transistoren med felteffekt, der består af silikonemateriale og med N-kanal MOS-type. Den bruges primært til skift ved høj hastighed.
Temperaturområde ved opbevaring - 55 til 150 C.