Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VP0109

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-8964P
Producentens varenummer:
VP0109N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

140A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-92

Serie

VP0109

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id)

140 A

Drain source spænding maks. (Vds)

30 V

Kanalform

Forbedring

Benantal

3

Emballagetype

TO-92

Serie

VP0109

Bilindustristandarder

Nej

Gennemgangsspænding (Vf)

1.8 V

Drain source modstand maks. (Rds)

8 mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150 °C

Effektafsættelse maks. (Pd)

1.6 W

Min. driftstemperatur

-55 °C

Monteringstype

Hulmontering

Standarder/godkendelser

No

The Microchip enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.