STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-6330P
- Producentens varenummer:
- STD86N3LH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 504,20
(ekskl. moms)
Kr. 630,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.885 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 10,084 |
| 250 - 495 | Kr. 7,69 |
| 500 + | Kr. 6,822 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-6330P
- Producentens varenummer:
- STD86N3LH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.2mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET-enheden er en N-kanal Power MOSFET, der er udviklet ved hjælp af STMicroelectronics' STripFET H5-teknologi. Denne enhed er optimeret til at opnå meget lav modstand i tændt tilstand.
Lav ON-modstand RDSon
Høj lavine-robusthed
Lavt effekttab ved gate-drev
30 V-tidsfiltre
80 A ID