Microchip N-Kanal, MOSFET, 20 A 700 V, TO-247, MSC090SMA070B
- RS-varenummer:
- 241-9273P
- Producentens varenummer:
- MSC090SMA070B
- Brand:
- Microchip
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 143,60
(ekskl. moms)
Kr. 179,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 5 - 9 | Kr. 28,72 | - |
| 10 - 99 | Kr. 28,20 | 1% |
| 100 + | Kr. 26,93 | 6% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9273P
- Producentens varenummer:
- MSC090SMA070B
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MSC090SMA070B | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Portkildespænding maks. | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MSC090SMA070B | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Portkildespænding maks. 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip-serien af MOSFET-produkter med siliciumkarbid fra Micro semi øger ydeevnen i forhold til silicium MOSFET- og silicium IGBT-løsninger, samtidig med at de samlede ejeromkostninger for højspændingsanvendelser reduceres.
Lav kapacitet og lav gate-opladning
Hurtig skiftehastighed på grund af lav intern gate-modstand
Stabil drift ved høj samledstemperatur TJ (maks.) lig med 175 oC
Hurtig og pålidelig husdiode
Fremragende modstandsdygtighed mod laviner
I overensstemmelse med RoHS