Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 241-9685
- Producentens varenummer:
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,67
(ekskl. moms)
Kr. 85,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.130 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,734 | Kr. 68,67 |
| 50 - 120 | Kr. 11,13 | Kr. 55,65 |
| 125 - 245 | Kr. 10,442 | Kr. 52,21 |
| 250 - 495 | Kr. 9,62 | Kr. 48,10 |
| 500 + | Kr. 8,916 | Kr. 44,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9685
- Producentens varenummer:
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™ 6 N-channel automotive MOSFET has 40 V drain source voltage (VDS) & 100 A drain current (ID). It has MOS technology in the 5x6 mm² SS08 leadless package with highest quality level and robustness for automotive applications.
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
100 % avalanche-testet