Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101

RS-varenummer:: 241-9892
Producentens varenummer:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101

Indhold (2 enheder, i en pakke med 2)*

Kr. 37,10

(ekskl. moms)

Kr. 46,38

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.852 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
2 +	Kr. 18,55	Kr. 37,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 241-9892
Producentens varenummer:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	120A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	IAUC
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.7mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie IAUC
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon IAUC seriens MOSFET, 81 W maksimal effekttab, 120 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IAUC90N10S5N062ATMA1

Denne MOSFET er en effektomskiftertransistor, der er designet til miljøer med høj strøm og høje temperaturer, og som giver kontrolleret ledning i N-kanal-konfigurationer med forstærkertilstand. Den er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves robust termisk og elektrisk ydeevne, og den overholder standarder for miljøbegrænsninger.

Egenskaber og fordele:

• 40 V mærkeværdi for afløb, der muliggør mellemspændingsswitching
• 120 A kontinuerlig afløbsstrøm til høje strømbelastninger
• 0.7 mΩ lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 81 W effekttab, der understøtter høj effekthåndtering
• 80 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi
• 20 V porttolerance giver bred portdrevfleksibilitet

Anvendelser

• Velegnet til strømstyringsmoduler til biler
• Ideel til motorstyringstrin med høj strømstyrke
• Anvendes til DC-DC-konvertering i industrielle systemer
• Kan bruges til batteribeskyttelse og -fordeling
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilket temperaturområde kan den fungere over?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C for at rumme brede termiske omkapslinger.

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?

Den leveres i en TDSON-pakke, der er designet til overflademontering til styring af kortbygninger og termiske ruter.

Er den velegnet til krav til bildesign?

Den opfylder AEC-Q101-kvalificeringen og er RoHS-kompatibel til anvendelser i bilkvalitet.

Hvilken kanal og ledningstilstand anvender den?

Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forbedringstilstand for kontrolleret skifteadfærd.