Infineon N-Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 479,50

(ekskl. moms)

Kr. 599,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.856 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
20 - 48Kr. 23,975
50 - 98Kr. 22,365
100 - 198Kr. 20,945
200 +Kr. 19,335

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
242-0305P
Producentens varenummer:
IQE006NE2LM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

253A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PQFN

Serie

IQE

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

0.73V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 5 effekttransistor er en N-kanal MOSFET, som har meget lav modstand. Den er fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC til industrielle anvendelser.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.