Infineon N-Kanal, MOSFET, 84 A 40 V N, 3 Ben, TO-220, IPA
- RS-varenummer:
- 242-0986
- Producentens varenummer:
- IPA80R1K2P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 24,76
(ekskl. moms)
Kr. 30,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 404 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,38 | Kr. 24,76 |
| 20 - 48 | Kr. 11,185 | Kr. 22,37 |
| 50 - 98 | Kr. 10,545 | Kr. 21,09 |
| 100 - 198 | Kr. 9,80 | Kr. 19,60 |
| 200 + | Kr. 9,015 | Kr. 18,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0986
- Producentens varenummer:
- IPA80R1K2P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 84A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 84A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon N-kanal MOSFET giver en maksimal kontinuerlig drænstrøm på 4,5 A og drænkildespændingen er 800 V. Den fokuserer hovedsageligt på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm. Driftstemperaturen for MOSFET ligger i området fra -55 til 150 grader C.
Klassens bedste ydeevne.
Muliggør design med højere effekttæthed
BOM-besparelser og lavere samleomkostninger
Nem at køre og parallel
Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl
Færre produktionsproblemer og færre returneringer i marken
Nemt at vælge de rigtige dele til finjustering af design