Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 30.6 A 12 V Forbedring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-varenummer:
- 243-4888P
- Producentens varenummer:
- PXP3R7-12QUJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 278,25
(ekskl. moms)
Kr. 347,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 5,565 |
| 100 - 240 | Kr. 4,436 |
| 250 + | Kr. 4,338 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4888P
- Producentens varenummer:
- PXP3R7-12QUJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | MLPAK33 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype MLPAK33 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia P-kanal forbedringstilstand felteffekttransistor (FET) i et MLPAK33 (SOT8002) overflademonteret enhed (SMD) plasthus med rende MOSFET-teknologi.
Lav tærskelspænding
Trench MOSFET-teknologi
Høj-side belastningsomskifter
Batteristyring
DC-til-DC-konvertering
Koblingskredsløb
