Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9314
- Producentens varenummer:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 59,24
(ekskl. moms)
Kr. 74,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,848 | Kr. 59,24 |
| 50 - 120 | Kr. 9,694 | Kr. 48,47 |
| 125 - 245 | Kr. 9,14 | Kr. 45,70 |
| 250 - 495 | Kr. 8,512 | Kr. 42,56 |
| 500 + | Kr. 7,81 | Kr. 39,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9314
- Producentens varenummer:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | IAUC | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie IAUC | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon har MOSFET, som er OptiMOS effekt MOSFET til brug i biler, N-kanal-forbedringstilstand - logisk niveau og AEC Q101-kvalificeret.
N kanal
100 % Avalanche testet
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 60 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 24 A 100 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101