Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPC AEC-Q101

RS-varenummer:: 243-9318
Producentens varenummer:: IPC50N04S5L5R5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPC AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 11.175,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.970,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 2,235	Kr. 11.175,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 243-9318
Producentens varenummer:: IPC50N04S5L5R5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SuperSO8 5 x 6
	Serie	IPC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.4mΩ
	Kanalform	N
	Portkildespænding maks.	20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SuperSO8 5 x 6
	Serie IPC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ
	Kanalform N
	Portkildespænding maks. 20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPC50N04S5L5R5ATMA1

Infineon IPC seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPC50N04S5L5R5ATMA1

Denne MOSFET er en stærkstrøms-N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende miljøer. Den leverer en betydelig kontinuerlig afløbsstrøm, mens den fungerer over et bredt temperaturområde og er i overensstemmelse med miljø- og bilmaterialekrav.

Egenskaber og fordele:

• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør omskiftning ved kraftig belastning
• 1.4 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab
• 40 V drain-source-klassificering understøtter lavspændingsstrømskinner
• 81 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 80 nC typisk gate-opladning forenkler krav til gate-drev
• 20 V maks. gate-source-klassificering bevarer gate-spændingsmargenen

Anvendelser

• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler
• Ideel til DC-DC-omformere med høj strømstyrke
• Anvendes til halvbroben til elektrisk motordrev
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til overflademonterede strømstyringsenheder

Hvilket temperaturområde kan den modstå?

Den fungerer fra -55 °C op til 175 °C til miljøer med stor temperaturvariation.

Hvor mange ben og hvilken pakke bruger den?

Den leveres i en 8-benet SuperSO8-pakke med en størrelse på 5 x 6 mm til overflademontering.

Er den i overensstemmelse med miljømaterialestandarder?

Den opfylder RoHS-kravene for begrænsede stoffer.

Hvilke hensyn til gate-driver opstår der fra dens elektriske egenskaber?

Den typiske gate-opladning er 80 nC, og den maksimale VGS er 20 V, så gate-drivere skal give tilstrækkelig opladning og overholde 20 V-grænsen.