Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9321
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 55,13
(ekskl. moms)
Kr. 68,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,513 | Kr. 55,13 |
| 100 - 240 | Kr. 5,236 | Kr. 52,36 |
| 250 - 490 | Kr. 5,019 | Kr. 50,19 |
| 500 - 990 | Kr. 4,795 | Kr. 47,95 |
| 1000 + | Kr. 4,458 | Kr. 44,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9321
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IPZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IPZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon har MOSFET, som er OptiMOS effekt MOSFET til brug i biler, N-kanal-forbedringstilstand - logisk niveau og AEC Q101-kvalificeret.
N kanal
100 % Avalanche testet
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 20 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, IPC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 330 A 40 V SuperSO8 5 x 6, ISC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUZ AEC-Q101