Infineon N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 77,04

(ekskl. moms)

Kr. 96,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.840 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 15,408Kr. 77,04
50 - 120Kr. 13,852Kr. 69,26
125 - 245Kr. 12,896Kr. 64,48
250 - 495Kr. 11,998Kr. 59,99
500 +Kr. 11,206Kr. 56,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-1555
Producentens varenummer:
BSC0901NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

381A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BSC seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 381 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC0901NSATMA1


Denne MOSFET er en N-kanals halvlederkontakt, der er designet til kraftig strømkonvertering og overflademonterede anvendelser på kompakte kort. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet, hvor der kræves robust drain-to-source-ydeevne og kontrolleret gate-drev.

Egenskaber og fordele:


• 40 V maksimal drain-to-source-spænding muliggør midspændingstrin
• 381 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høj strømforsyning
• 0,7 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab ved kraftig belastning
• 81 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 80 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi
• 20 V gate-klassificering giver en bred gate-drive-margen til styring

Anvendelser


• Velegnet til primære koblingstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til kraftige strømkonverteringsmoduler
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder, der kræver kompakte MOSFET'er
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til stærkt strømførende batteristyringskredsløb

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?


Den fungerer på -55 °C til +150 °C og passer til ekstreme termiske miljøer.

Hvilken pakke bruges til montering på kompakte printkort?


Den leveres i en SuperSO8 5x6 mm pakke til overflademontering til tætte layouts.

Hvordan påvirker gate-opladningen koblingsdesign?


80 nC gate-ladning definerer drevenergien og påvirker koblingstab og driverstørrelse.

Hvad er den fremadgående spænding under ledning?


Den fremadrettede spænding er specificeret til 1 V, hvilket angiver dens ledningsfald under definerede forhold.

Er der specifikke godkendelser eller miljøstandarder?


Den overholder RoHS-kravene for begrænsede stoffer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.