DiodesZetex 2 N-Kanal, MOSFET, 800 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, US

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 65,20

(ekskl. moms)

Kr. 81,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.425 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 75Kr. 1,304
100 - 225Kr. 0,958
250 - 975Kr. 0,94
1000 +Kr. 0,916

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7513P
Producentens varenummer:
DMN2710UDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

800mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.75Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SOT363-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.

Den maksimale drain-til-kilde spænding er 20 V, og den maksimale gate-til-kilde spænding er ± 6 V, den har en ultralille husstørrelse, den har lav indgangs-/udgangslækage

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.