Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 75 V N, 3 Ben, TO-247, IMW Nej IMW120R020M1HXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 165,11

(ekskl. moms)

Kr. 206,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 165,11
2 - 4Kr. 156,86
5 - 9Kr. 150,12
10 - 24Kr. 143,62
25 +Kr. 133,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
248-6669
Producentens varenummer:
IMW120R020M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

IMW

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

N

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC 1200 V, 20 mΩ SiC MOSFET i TO247-3-pakken bygger på en tilstand af ART Trench halvlederprocessen, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Disse omfatter det laveste niveau for gate-opladning og enhedskapacitet, som ses i 1200 V-switche. Ingen omvendte genvindingstab af den interne kommutationssikre husdiode, temperaturuafhængige lave koblingstab og tærskelfri ON-state-egenskab og CoolSiC MOSFET'er er ideelle til hårde og resonante skiftende topologier som effektfaktorkorrektions (PFC) kredsløb, tovejs topologier og DC-DC konvertere eller DC-AC invertere.

VDSS-1200 V VED T-25 C

IDCC-98 A VED T-25 C

RDS(on) - 19 mohm ved VGS - 18 V, T - 25 oC

Meget lave koblingstab

Kortslutning kan modstå tid på 3 mikrosekund

Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) - 4,2 V.

Robust mod standby-tænd, 0 V sluk-gate-spænding kan anvendes

Robust husdiode til hård kommutering

XT-samkoblingsteknologi giver klassens bedste termiske ydeevne

Relaterede links