Infineon N-Kanal, MOSFET, 52 A 75 V N, 3 Ben, TO-247, IMW
- RS-varenummer:
- 248-6671
- Producentens varenummer:
- IMW120R040M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 248-6671
- Producentens varenummer:
- IMW120R040M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | IMW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie IMW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC 1200 V, 40 mΩ SiC MOSFET i TO247-3-pakken bygger på en tilstand af ART Trench halvlederprocessen, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Disse omfatter det laveste niveau for gate-opladning og enhedskapacitet, som ses i 1200 V-switche. Ingen omvendte genvindingstab af den interne kommutationssikre husdiode, temperaturuafhængige lave koblingstab og tærskelfri ON-state-egenskab og CoolSiC MOSFET'er er ideelle til hårde og resonante skiftende topologier som effektfaktorkorrektions (PFC) kredsløb, tovejs topologier og DC-DC konvertere eller DC-AC invertere.
VDSS-1200 V VED T-25 C
IDCC-55 A VED T-25 C
RDS(on) - 39 mohm ved VGS - 18 V, T - 25 oC
Meget lave koblingstab
Kortslutning kan modstå tid på 3 mikrosekund
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) - 4,2 V.
Robust mod standby-tænd, 0 V sluk-gate-spænding kan anvendes
Robust husdiode til hård kommutering
XT-samkoblingsteknologi giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V N TO-247, IMW
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V P TO-247, IMW
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 75 A 200 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 225 A 75 V N TO-247, IMZA
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 52 A 1700 V Forbedring TO-247, IMW1
- Infineon N-Kanal 209 A 75 V Forbedring TO-247, HEXFET