Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG
- RS-varenummer:
- 248-9319P
- Producentens varenummer:
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 264,05
(ekskl. moms)
Kr. 330,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 - 9 | Kr. 52,81 |
| 10 - 24 | Kr. 51,61 |
| 25 - 49 | Kr. 48,17 |
| 50 + | Kr. 44,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-9319P
- Producentens varenummer:
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IMBG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IMBG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SiC MOSFET er en 650 V CoolSiC-enhed, der er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi og udnytter de brede egenskaber for SiC-bandgap. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed, der er velegnet til høje temperaturer og barske forhold. det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Kommuteret robust hurtig husdiode med lav QF
Overlegen gate-oxid pålidelighed
TJ, maks.-175 oC og fremragende termisk adfærd
Lavere RDS (til) og impulsstrøm afhængig af temperatur
Øget lavine-kapacitet
Kompatibel med standarddrivere
Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere kontakttab