Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG
- RS-varenummer:
- 248-9323P
- Producentens varenummer:
- IMBG65R083M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 248-9323P
- Producentens varenummer:
- IMBG65R083M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IMBG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IMBG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SiC MOSFET er en 650 V CoolSiC-enhed, der er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi og udnytter de brede egenskaber for SiC-bandgap. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed, der er velegnet til høje temperaturer og barske forhold. det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Kommuteret robust hurtig husdiode med lav QF
Overlegen gate-oxid pålidelighed
TJ, maks.-175 oC og fremragende termisk adfærd
Lavere RDS (til) og impulsstrøm afhængig af temperatur
Øget lavine-kapacitet
Kompatibel med standarddrivere
Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere kontakttab