STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 248-9687P
- Producentens varenummer:
- STP60N043DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 60,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 493,60
(ekskl. moms)
Kr. 617,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 720 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 49,36 | - |
| 100 - 499 | Kr. 48,76 | Kr. 60,00 |
| 500 + | Kr. 48,17 | Kr. 595,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-9687P
- Producentens varenummer:
- STP60N043DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | STP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Længde | 28.9mm | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie STP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Længde 28.9mm | ||
Bredde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics-produktet er en N-kanal effekt MOSFET baseret på den mest innovative MDmesh DM9-teknologi med superkobling, der er velegnet til mellemstore eller højspændings MOSFET'er med meget lav RDS til pr. område kombineret med en hurtig gendannelsesdiode. Silicon-baseret DM9-teknologi drager fordel af en multi-drain produktionsproces, der giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Den hurtige gendannelsesdiode med meget lav genoprettelsesladning, tid og RDS ON gør denne hurtigt skiftende supersamledstrøm-MOSFET skræddersyet til de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftkonvertere.
Diode til hus med hurtig genindvinding
Verdens bedste RDS til pr. område blandt silicium-baserede hurtige genoprettelsesenheder
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
100 procent lavine testet
Ekstremt robust dv/dt